产业发展现状：多晶硅是重要半导体材料，我国早期技术落后，后产业规模扩大，技术突破，但仍与发达国家有差距。
全球：专利申请稳步提升，中国申请量领先但技术水平有差距，日本企业专利布局优势明显，技术分支中硅芯制备等活跃度高，PCT专利美国最多且重视在中国布局。
中国：早期发展缓慢，后受政策影响波动上升，本土企业主导市场，各技术分支申请量与全球相似，不同技术方向专利活跃度有差异。
专利布局分析：头部企业产业链布局各有异同，新特能源在副产物回收等环节有优势但硅芯制备薄弱，国内外企业有效专利布局各有侧重，国内企业应注意相关风险。
重点创新主体：通威等六家企业技术研发各有侧重方向，协同创新整体不活跃，专利运营多在企业内部，有待加强。
人才团队：提供高校高端人才及近年硕博毕业生情况，为企业人才建设提供参考。
专利挖掘和布局：新特能源应弥补硅芯制备短板，保持优势方向布局，提升弱势方向能力，关注全球热点技术前瞻性布局。
创新联盟构建：新特能源可牵头，成员含企业、高校等，应遵循相关原则，建立评价指标体系选择成员。
专利池构建：具有可行性和必要性，可整合资源、提升竞争力，但存在问题，需通过多种策略优化，包括建立信任机制等。
研究背景：OLED材料发展中硼氮掺杂材料重要，我国在该材料专利申请等方面与发达国家有差距。
我国专利态势：申请量先增后受疫情影响波动，申请人以国内企业为主，技术构成集中于含硼化合物等，专利有效性较高。
技术演进：硼氮化合物技术路线包括典型和非典型结构，六六元结构最早且申请量多，五六元结构较晚且申请量少，五五元结构发展空间大，非典型结构申请量不稳定。
侵权风险和预警：分析了六六元、五六元和五五元结构及非典型结构的典型专利，企业研发可规避部分结构，注意侵权风险。
结论与建议：我国硼氮掺杂材料发展迅速，企业研发优势明显，材料开发潜力大但布局分散。建议构建产业链组合，开发重点材料设计路径，如加强六元结构研发等。